STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 4 Ben, ECOPACK, STL
- RS-artikelnummer:
- 273-5100
- Tillv. art.nr:
- STL260N4F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
79,30 kr
(exkl. moms)
99,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 150 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 39,65 kr | 79,30 kr |
| 20 - 98 | 24,75 kr | 49,50 kr |
| 100 - 198 | 18,815 kr | 37,63 kr |
| 200 + | 16,855 kr | 33,71 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5100
- Tillv. art.nr:
- STL260N4F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | STL | |
| Kapseltyp | ECOPACK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 72nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie STL | ||
Kapseltyp ECOPACK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 72nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET använder STripFET F7-teknik med en förbättrad grindgate-struktur som resulterar i ett mycket lågt motstånd i on-state, samtidigt som den minskar den interna kapaciteten och grindladdningen för snabbare och effektivare omkoppling.
AEC-Q101-godkänd
Utmärkt FoM
Hög motståndskraft mot laviner
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 4 Ben, ECOPACK, STL
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, ECOPACK, STripFETTM F7 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, N-kanals MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL