Infineon N Kanal, MOSFET, 173 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

RS-artikelnummer:: 273-3029
Tillv. art.nr:: IRFS7537TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 173 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

6 434,40 kr

(exkl. moms)

8 043,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 26 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
800 +	8,043 kr	6 434,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 273-3029
Tillv. art.nr:: IRFS7537TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	173A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	TO-263
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	3.30mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	142nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	230W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS Compliant

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 173A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp TO-263
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 3.30mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 142nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 230W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS Compliant

Datasheet - IRFS7537TRLPBF

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 60 V maximal drain-source-spänning, 173 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRFS7537TRLPBF

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för tuffa miljöer och ger betydande effekthantering för tillämpningar som kräver effektiv ledning och kontrollerad grinddrivning.

Funktioner och fördelar:

• 230 W effektförlust möjliggör kontinuerlig drift vid hög belastning
• 3,30 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster för effektivitet
• 142 nC grindladdning stöder förutsägbar omkopplingsprestanda
• 20 V grindspänningstolerans skyddar mot överdrivningstransienter
• 1,2 V framspänning minskar spänningsfall i ledningsvägar

Användningsområden

• Lämplig för DC-motordrivkretsar i industriella styrsystem
• Idealisk för högströmsnätaggregat och omvandlare
• Används med fordonselektronik som kräver ett brett temperaturområde
• Kan användas för switchade effektsteg i växelriktare
• Användbar i värmehanterade strömfördelningsmoduler

Vilka är de termiska driftgränserna för tillförlitlig användning?

Enheten stöder drift från -55 °C upp till 175 °C.

Hur påverkar kapslingstypen monteringen och värmehanteringen?

Ytmonteringspaketet TO-263 möjliggör kretskortsmontering med låg profil och effektiv värmeöverföring till kopparplan.

Vilka kanalegenskaper bestämmer omkopplingspolariteten?

Det är en N-kanaltransistor med förstärkningsläge som kräver en positiv grinddrivning för att leda.

Vilken topp kontinuerlig strömkapacitet kan förväntas i kraftiga kretsar?

Komponenten är specifik för kontinuerliga avtappningsströmmar på upp till 173 A.