Sök efter MPN

Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

RS-artikelnummer:: 831-2837
Distrelec artikelnummer:: 304-44-446
Tillv. art.nr:: IRF530NSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

367,14 kr

(exkl. moms)

458,92 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

2 420 enhet(er) levereras från den 14 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 - 80	18,357 kr	367,14 kr
100 - 180	14,14 kr	282,80 kr
200 - 480	13,199 kr	263,98 kr
500 - 980	12,488 kr	249,76 kr
1000 +	11,385 kr	227,70 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 831-2837
Distrelec artikelnummer:: 304-44-446
Tillv. art.nr:: IRF530NSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	17A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	TO-263
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	90mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	37nC
	Maximal effektförlust Pd	70W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Höjd	4.83mm
	Bredd	9.65mm
	Längd	10.67mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp TO-263
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 90mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC
	Maximal effektförlust Pd 70W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Höjd 4.83mm
	Bredd 9.65mm
	Längd 10.67mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon

Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.