Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 827-4114
- Tillv. art.nr:
- IRFS4615TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
143,14 kr
(exkl. moms)
178,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 28,628 kr | 143,14 kr |
| 50 - 120 | 25,716 kr | 128,58 kr |
| 125 - 245 | 24,036 kr | 120,18 kr |
| 250 - 495 | 22,624 kr | 113,12 kr |
| 500 + | 20,854 kr | 104,27 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-4114
- Tillv. art.nr:
- IRFS4615TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 33A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 42mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 144W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 42mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 144W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 9.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 150 V maximal drain-källspänning, 33 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFS4615TRLPBF
Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal-förstärkningsläge som är utformad för strömomkoppling i ytmonterade enheter. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är lämplig för krävande termiska miljöer samtidigt som den ger kontrollerad grinddriven omkoppling för tillämpningar med medelhög till hög ström.
Funktioner och fördelar:
• 150 V drain-source-motstånd möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 33 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsströmmar
• 42 mΩ RDS(on) minimerar ledningsförluster vid hög belastning
• 26 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbara drivkraven
• Maximal effektförlust på 144 W hanterar höga effektnivåer
• Gränsen för 20 V gate-source skyddar mot överdriven gate-belastning
• 33 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsströmmar
• 42 mΩ RDS(on) minimerar ledningsförluster vid hög belastning
• 26 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbara drivkraven
• Maximal effektförlust på 144 W hanterar höga effektnivåer
• Gränsen för 20 V gate-source skyddar mot överdriven gate-belastning
Användningsområden
• Lämplig för DC/DC-omvandlare i industriella nätaggregat
• Idealisk för motordrivningssteg som kräver hög ström
• Används med batterihanteringssystem som behöver högspänningsswitchning
• Kan användas för synkronlikriktelse vid strömomvandling
• Lämplig för högeffektsmoduler i tuffa miljöer
• Idealisk för motordrivningssteg som kräver hög ström
• Används med batterihanteringssystem som behöver högspänningsswitchning
• Kan användas för synkronlikriktelse vid strömomvandling
• Lämplig för högeffektsmoduler i tuffa miljöer
Vilka termiska gränser styr långvarig drift?
Enheten är specifik för att fungera från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i högtemperatursystem där förhöjda kopplingstemperaturer förväntas.
Vilken kapsling och monteringsstil kräver den?
Den levereras i en TO-263-förpackning avsedd för ytmontering på lämpliga kopparområdesjordmönster för värmeavledning.
Hur påverkar grindladdningen valet av drivare?
Med en typisk total grindladdning på 26 nC bör konstruktörer välja drivare som kan leverera den önskade laddningen inom målomkopplingstiden för att begränsa övergångsförluster.
Vilka spänningsbegränsningar gäller för grind och drain?
Den maximala tillåtna gate-to-source-spänningen är 20 V medan den nominella drain-to-source-spänningen är 150 V, vilket definierar säkra driftsgränser för gate-drivning och belastningstransienter.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 173 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 183 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET