Infineon N Kanal, MOSFET, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2604
- Tillv. art.nr:
- IRFZ44ESTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 215-2604
- Tillv. art.nr:
- IRFZ44ESTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 48 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 60 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 1.3 V | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 23 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 110 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 60 nC | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 48 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 60 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 1.3 V | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 23 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 110 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Yta | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 60 nC | ||
The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize Advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2pack is a surface mount power package capable of accommodating die sizes upto HEX-4. It provide the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2pack is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.
Advanced Process Technology
Fully avalanche rated
Fast switching
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Förbättring, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 293 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 400 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 84 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET