Infineon N Kanal, MOSFET, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2604
- Tillv. art.nr:
- IRFZ44ESTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 215-2604
- Tillv. art.nr:
- IRFZ44ESTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 48A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 48A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons femte generationens HEXFET från International Rectifier använder avancerade bearbetningstekniker för att uppnå extremt lågt motstånd vid påverkan för silikonområdet. Dessa fördelar, i kombination med den snabba kopplingshastigheten och den robusta konstruktionen som HEXFET power MOSFET är välkända för, ger konstruktören en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer. D2pack är ett ytmonterat kraftpaket som kan ta emot chipstorlekar upp till HEX-4. Den ger högsta effektkapacitet och lägsta möjliga on-resistans i alla befintliga ytmonterade kapslingar. D2pack är lämplig för högströmsapplikationer tack vare sitt låga interna anslutningsmotstånd och kan avleda upp till 2,0 W i en typisk ytmonterad applikation.
Avancerad processteknik
Fullständigt lavinklassad
Snabbväxlande
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 48 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Förbättring, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 293 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 400 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 84 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET