Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2572
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-412
- Tillv. art.nr:
- IRF1310NSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
98,20 kr
(exkl. moms)
122,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 550 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 9,82 kr | 98,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2572
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-412
- Tillv. art.nr:
- IRF1310NSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 36mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 14.173in | |
| Standarder/godkännanden | EIA 418 | |
| Bredd | 1.079in | |
| Höjd | 1.197in | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 36mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 14.173in | ||
Standarder/godkännanden EIA 418 | ||
Bredd 1.079in | ||
Höjd 1.197in | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon-seriens femte generationens HEXFET från International rectifier utnyttjar avancerade bearbetningstekniker för att uppnå extremt låg on-motstånd för kiselarea. Dessa fördelar, i kombination med den snabba kopplingshastigheten och den robusta konstruktionen som HEXFET power MOSFET är välkända för, ger konstruktören en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer. D2pack är ett ytmonterat kraftpaket som kan ta emot chipstorlekar upp till HEX-4. Den ger högsta effektkapacitet och lägsta möjliga on-resistans i alla befintliga ytmonterade kapslingar. D2pack är lämplig för högströmsapplikationer tack vare sitt låga interna anslutningsmotstånd och kan avleda upp till 2,0 W i en typisk ytmonterad applikation.
Avancerad processteknik
Fullständigt lavinklassad
Snabbväxlande
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -42 A -55 V, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 183 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 173 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 106 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET