Microchip N Kanal, MOSFET, 4 A 400 V MOSFET, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 264-8922
- Tillv. art.nr:
- TN2640K4-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
36 342,00 kr
(exkl. moms)
45 428,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 18,171 kr | 36 342,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-8922
- Tillv. art.nr:
- TN2640K4-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 400V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | MOSFET | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.36W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 400V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge MOSFET | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.36W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips N-kanals MOSFET med låg tröskelförstärkningsläge (normalt avstängd) använder en vertikal DMOS-struktur och välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapacitet för bipolära transistorer och med hög ingångsimpedans och positiv temperaturkoefficient som är inneboende i MOS-enheter. Karaktäristisk för alla MOS-strukturer, denna enhet är fri från termisk runaway och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET-transistorer är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög spänningsbrytning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Låg tröskel (2, 0 V max.)
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans
Snabba växlingshastigheter
Låg på-resistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage
Relaterade länkar
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 400 V MOSFET, 3 Ben, TO-252
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET 250 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, DN2625
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- Microchip Typ N Kanal, RF MOSFET, 170 mA 700 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, DN2470
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.4 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR320
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A N, TO-252, IPD