Microchip Typ N Kanal, MOSFET 250 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, DN2625
- RS-artikelnummer:
- 598-727
- Tillv. art.nr:
- DN2625K4-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
25 348,00 kr
(exkl. moms)
31 684,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 12,674 kr | 25 348,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-727
- Tillv. art.nr:
- DN2625K4-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | DN2625 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie DN2625 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Microchips transistor med låg tröskel för utarmningsläge använder en avancerad vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapacitet för bipolära transistorer och med hög ingångsimpedans och positiv temperaturkoefficient som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET är idealiska för ett brett spektrum av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Mycket låg grindströmspänning
Utformad för att drivas från källan
Låga omkopplingsförluster
Låg effektiv utgångskapacitet
Utformad för induktiva laster
Relaterade länkar
- Microchip 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 1.1 A 250 V Avskrivningar, 8 Ben, DFN, DN2625
- Microchip Typ N Kanal, RF MOSFET, 170 mA 700 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, DN2470
- Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 360 mA 250 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-89, DN3525
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 480 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, STD
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET 500 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, LND150
- Microchip Enkel Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 350 V Avskrivningar, 4 Ben
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, RD3G08CBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Avskrivningar, 8 Ben, TO-252, RD3P06BBKH AEC-Q101