Microchip Typ N Kanal, RF MOSFET, 170 mA 700 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, DN2470
- RS-artikelnummer:
- 598-941
- Tillv. art.nr:
- DN2470K4-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
16 154,00 kr
(exkl. moms)
20 192,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 8,077 kr | 16 154,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 598-941
- Tillv. art.nr:
- DN2470K4-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | RF MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 170mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | DN2470 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 0.265in | |
| Höjd | 0.94in | |
| Längd | 0.245in | |
| Standarder/godkännanden | RoHS-compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp RF MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie DN2470 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 0.265in | ||
Höjd 0.94in | ||
Längd 0.245in | ||
Standarder/godkännanden RoHS-compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Microchips transistor med låg tröskel för utarmningsläge använder en avancerad vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapacitet för bipolära transistorer och med hög ingångsimpedans och positiv temperaturkoefficient som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikal DMOS FET är idealisk för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans
Snabba växlingshastigheter
Låg påslagningsresistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage
Relaterade länkar
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET 250 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, DN2625
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 400 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-243, DN2540
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 300 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-92, DN2530
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 480 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, STD
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, RD3G08CBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Avskrivningar, 8 Ben, TO-252, RD3P06BBKH AEC-Q101
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET 500 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, LND150
- Microchip Enkel Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 350 V Avskrivningar, 4 Ben