Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR320

RS-artikelnummer:: 177-7558
Tillv. art.nr:: IRFR320TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR320

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

10 476,00 kr

(exkl. moms)

13 096,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 28 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	5,238 kr	10 476,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 177-7558
Tillv. art.nr:: IRFR320TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds	400V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	IRFR320
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.8Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	42W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	20nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.6V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	2.38mm
	Bredd	6.22mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	6.73mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds 400V
	Kapseltyp TO-252
	Serie IRFR320
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.8Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 42W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.6V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 2.38mm
	Bredd 6.22mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 6.73mm
	Fordonsstandard Nej

IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320, Power MOSFET

Vishay IRFR320-serien effekt-MOSFET, 400 V drain-källspänning, 3,1 A kontinuerlig drain-ström – IRFR320TRPBF

Denna effekt-MOSFET är en högspänningsswitchtransistor avsedd för ytmonterade kretskortsenheter i strömomvandlings- och styrkretsar. Den fungerar som en N-kanalförstärkningsenhet och är utformad för att hantera förhöjda dränerings-till-källspänningar och måttliga kontinuerliga strömmar, vilket gör den lämplig för omkopplings- och energihanteringsroller inom industri- och konsumentelektronik.

Funktioner och fördelar:

• Maximal dränering-till-källspänning på 400 V möjliggör högspänningsomkopplingskapacitet
• 3,1 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• Maximal Rds(on) på 1.8 Ω minskar ledningsförluster under belastning
• Maximal effektförlust på 42 W möjliggör hållbar värmehantering
• 20 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Gränsen för 20 V grindkälla säkerställer kompatibilitet med standardgrinddrivare

Användningsområden

• Lämplig för switchade nätaggregat och omvandlare
• Idealisk för motorstyrning i system med låg effekt
• Används för strömomkoppling på primärsidan i industriell utrustning
• Kan användas för elektroniska lastskyddskretsar
• Lämplig för byte av högspänningsreläer på kort

Vilket temperaturområde kan förväntas för drift?

Enheten är specifik för att fungera mellan -55 °C och 150 °C, vilket möjliggör användning i utökade temperaturmiljöer.

Hur är komponenten förpackad för montering?

Den levereras i en TO-252-förpackning med tre stift för ytmontering, lämplig för automatiserad kretskortsplacering.

Vilka överväganden krävs för grinddrivning?

Drivare bör respektera en maximal gate-source-klassning på 20 V och ta hänsyn till den typiska 20 nC grindladdningen vid dimensionering av drivström och omkopplingshastighet.

Är detta lämpligt för fordonsklassade konstruktioner?

Delen uppfyller inte fordonsstandarder, så den är inte avsedd för användning i certifierade fordonssystem.