Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR320

RS-artikelnummer:: 177-7558
Tillv. art.nr:: IRFR320TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR320

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

10 476,00 kr

(exkl. moms)

13 096,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 07 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	5,238 kr	10 476,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 177-7558
Tillv. art.nr:: IRFR320TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds	400V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	IRFR320
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.8Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	20nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.6V
	Maximal effektförlust Pd	42W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	2.38mm
	Bredd	6.22mm
	Längd	6.73mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds 400V
	Kapseltyp TO-252
	Serie IRFR320
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.8Ω
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.6V
	Maximal effektförlust Pd 42W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 2.38mm
	Bredd 6.22mm
	Längd 6.73mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320, Power MOSFET

Vishay IRFR320-serien effekt-MOSFET, 400 V drain-source-spänning, 3,1 A kontinuerlig drain-ström – IRFR320TRPBF

Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanal-enhet som är utformad för omkopplings- och förstärkningsuppgifter i industriell elektronik. Den fungerar som en förstärkningstransistor som är lämplig för ytmonterade enheter och stöder krävande elektriska miljöer där kontrollerad högspänningsomkoppling krävs.

Funktioner och fördelar:

• 400 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar • Kontinuerlig dräneringskapacitet på 3,1 A stöder måttliga strömbelastningar • 1,8 Ω låg Rds(on) minimerar ledningsförluster vid nominella förhållanden • 20 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsdynamik • Maximal effektförlust på 42 W möjliggör betydande termisk belastning • Driftområde från -55 °C till 150 °C säkerställer bred temperaturbeständighet

Användningsområden

• Lämplig för flyback- och framåtriktade omvandlare i strömförsörjningar • Idealisk för industriella motorstyrningsstegen med högspänningsskenor • Används för högspänningsbelysning och förkopplingskretsar för ballast • Kan användas för skyddskretsar som kräver robust blockeringsspänning

Vilken kapslingstyp bör jag förvänta mig för ytmontering?

Enheten levereras i en TO-252-kapsel konfigurerad för lödmontering på ett kretskort och termiskt plan.

Vilka gränsspänningsgränser måste jag observera under designen?

Gate-exkursioner måste förbli inom ±20 V i förhållande till källan för att undvika att överskrida gate-source-klassificeringen.

Hur bör värmehantering hanteras på ett kort?

Använd tillräcklig kopparyta och termiska ledningar under TO-252-jord för att dissipera upp till den angivna 42 W-effekten, med hänsyn till nedgradering för omgivningstemperatur och luftflöde.

Vilken atmosfär och godkännande överväganden gäller för upphandling?

Komponenten överensstämmer med RoHS-materialbegränsningar för blyfri systemintegrering.