ROHM Typ P Kanal, MOSFET, -0.25 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1E002SP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 264-3820
- Tillv. art.nr:
- RE1E002SPTCL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
42,35 kr
(exkl. moms)
52,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 325 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,694 kr | 42,35 kr |
| 50 - 75 | 1,658 kr | 41,45 kr |
| 100 - 225 | 1,044 kr | 26,10 kr |
| 250 - 975 | 1,026 kr | 25,65 kr |
| 1000 + | 0,999 kr | 24,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-3820
- Tillv. art.nr:
- RE1E002SPTCL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -0.25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | RE1E002SP | |
| Kapseltyp | SOT-416 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -0.25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie RE1E002SP | ||
Kapseltyp SOT-416 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
ROHM MOSFET: er är tillverkade som ultralågt ON-motstånd av mikroprocessortekniker som är lämpliga för mobil utrustning för låg strömförbrukning. I ett brett sortiment inklusive kompakt typ, högeffektstyp och komplex typ för att möta marknadens behov.
4 V-drivenhetstyp
Pch-småsignal-MOSFET
Litet paket för ytmontering
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, -0.25 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1E002SP AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 100 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C001ZP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 250 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002ZP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002UN
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, SOT, BSS84WAHZG AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 0.25 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, RK7002BM
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101