ROHM N Kanal, MOSFET, 0.25 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, RK7002BM
- RS-artikelnummer:
- 264-3821
- Tillv. art.nr:
- RK7002BMT116
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 269,00 kr
(exkl. moms)
1 587,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,423 kr | 1 269,00 kr |
| 6000 + | 0,366 kr | 1 098,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-3821
- Tillv. art.nr:
- RK7002BMT116
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | RK7002BM | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 350W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie RK7002BM | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 350W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
ROHM MOSFET: er är tillverkade som ultralågt ON-motstånd av mikroprocessortekniker som är lämpliga för mobil utrustning för låg strömförbrukning. I ett brett sortiment inklusive kompakt typ, högeffektstyp och komplex typ för att möta marknadens behov.
2,5 V-drivtyp
Små signal-MOSFET med N-kanal
Litet paket för ytmontering
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 0.25 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, RK7002BM
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 650 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS670
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, RYC002N05
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, -0.25 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1E002SP AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RUM001L02
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 210 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN67D7L
- DiodesZetex P-kanal Kanal, MOSFET, -4.3 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP3056L