ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 250 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002ZP
- RS-artikelnummer:
- 148-6962
- Tillv. art.nr:
- RE1L002SNTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 200 enheter)*
218,80 kr
(exkl. moms)
273,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 1,094 kr | 218,80 kr |
| 400 - 800 | 1,021 kr | 204,20 kr |
| 1000 - 1800 | 0,965 kr | 193,00 kr |
| 2000 - 9800 | 0,811 kr | 162,20 kr |
| 10000 + | 0,786 kr | 157,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 148-6962
- Tillv. art.nr:
- RE1L002SNTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 250mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-416 | |
| Serie | RE1C002ZP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Längd | 1.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 250mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-416 | ||
Serie RE1C002ZP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 150mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.8mm | ||
Längd 1.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Lågspänning (12 V) drivtyp
Pch MOSFET med liten signal
Litet ytomonterat hölje
Blyfri/RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 250 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002ZP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 100 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C001ZP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002UN
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, RE1C002ZP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, -0.25 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1E002SP AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 250 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RSM002N06
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RUM001L02
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-457