ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 235-2644
- Tillv. art.nr:
- BSS138BKAHZGT116
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
94,85 kr
(exkl. moms)
118,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 24 augusti 2026
- Dessutom levereras 25 enhet(er) från den 24 augusti 2026
- Dessutom levereras 1 875 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,794 kr | 94,85 kr |
| 50 - 75 | 3,718 kr | 92,95 kr |
| 100 - 225 | 2,348 kr | 58,70 kr |
| 250 - 975 | 2,303 kr | 57,58 kr |
| 1000 + | 1,241 kr | 31,03 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-2644
- Tillv. art.nr:
- BSS138BKAHZGT116
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 400mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 680mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 400mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 680mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM en N-kanal 60 V MOSFET och ESD-skyddsdiod ingår i SST3-kapseln. Denna produkt är idealisk för tillämpningar med omkopplingskrets och hög-sidad belastningsswitch, relädrivare. Detta är en mycket tillförlitlig produkt av fordonskvalitet som är kvalificerad enligt AEC-Q101.
Drivkrets med ultralåg spänning
Blyfri plätering
Halogenfria
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 400 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN63D8L AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX3008NBK AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, SOT, BSS84WAHZG AEC-Q101
- Toshiba 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 0.25 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, RK7002BM