ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002UN

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 150 enheter)*

98,70 kr

(exkl. moms)

123,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 400 enhet(er) levereras från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
150 - 6000,658 kr98,70 kr
750 - 13500,624 kr93,60 kr
1500 - 36000,587 kr88,05 kr
3750 - 73500,573 kr85,95 kr
7500 +0,559 kr83,85 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
124-6784
Tillv. art.nr:
RE1C002UNTCL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

RE1C002UN

Kapseltyp

SOT-416

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.8Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

150mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.8mm

Bredd

0.96 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

1.7mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM


MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar