ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002UN
- RS-artikelnummer:
- 124-6784
- Tillv. art.nr:
- RE1C002UNTCL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 150 enheter)*
98,70 kr
(exkl. moms)
123,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 600 enhet(er) från den 24 augusti 2026
- Dessutom levereras 1 650 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 150 - 600 | 0,658 kr | 98,70 kr |
| 750 - 1350 | 0,624 kr | 93,60 kr |
| 1500 - 3600 | 0,587 kr | 88,05 kr |
| 3750 - 7350 | 0,573 kr | 85,95 kr |
| 7500 + | 0,559 kr | 83,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-6784
- Tillv. art.nr:
- RE1C002UNTCL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | RE1C002UN | |
| Kapseltyp | SOT-416 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 150mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 1.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie RE1C002UN | ||
Kapseltyp SOT-416 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 150mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 1.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM
MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 250 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002ZP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 100 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1C001ZP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, -0.25 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-416, RE1E002SP AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RUM001L02
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-457
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223-3, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 45 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RSR025N05HZG