STMicroelectronics Dubbel N Kanal, MOSFET 95 V, 5 Ben, LBB

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
261-5583
Tillv. art.nr:
RF5L15120CB4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Dubbel N

Produkttyp

MOSFET

Maximal källspänning för dränering Vds

95V

Kapseltyp

LBB

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

1Ω

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.85mm

Standarder/godkännanden

2002/95/EC

Höjd

2.1mm

Längd

28.95mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, utformad för kommersiell bredbandskommunikation, TV-sändningar, avionik och industriella tillämpningar med frekvenser från HF till 1,5 GHz. Den kan användas i klass AB/B och klass C för alla typiska moduleringsformat.

Hög effektivitet och linjär förstärkning

Integrerat ESD-skydd

Stort positivt och negativt grind- eller källspänningsområde

Utmärkt termisk stabilitet, låg HCI-drift

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.