STMicroelectronics Dubbel N Kanal, MOSFET 95 V, 5 Ben, LBB
- RS-artikelnummer:
- 261-5583
- Tillv. art.nr:
- RF5L15120CB4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 100 enheter)*
198 910,80 kr
(exkl. moms)
248 638,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 100 + | 1 989,108 kr | 198 910,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 261-5583
- Tillv. art.nr:
- RF5L15120CB4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Dubbel N | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 95V | |
| Kapseltyp | LBB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | 2002/95/EC | |
| Längd | 28.95mm | |
| Bredd | 5.85mm | |
| Höjd | 2.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Dubbel N | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 95V | ||
Kapseltyp LBB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden 2002/95/EC | ||
Längd 28.95mm | ||
Bredd 5.85mm | ||
Höjd 2.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, utformad för kommersiell bredbandskommunikation, TV-sändningar, avionik och industriella tillämpningar med frekvenser från HF till 1,5 GHz. Den kan användas i klass AB/B och klass C för alla typiska moduleringsformat.
Hög effektivitet och linjär förstärkning
Integrerat ESD-skydd
Stort positivt och negativt grind- eller källspänningsområde
Utmärkt termisk stabilitet, låg HCI-drift
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Dubbel N Kanal, MOSFET 95 V, 5 Ben, LBB
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 90 V, 5 Ben, LBB
- STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, MOSFET 90 V Förbättring, 5 Ben, LBB, RF3L
- Infineon Typ N Kanal Dubbel N-kanals normalnivå förbättringsläge, MOSFET, 16 A 100 V Dubbel N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6,
- STMicroelectronics Dubbel N Kanal, MOSFET, 0.4 A 450 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 650 V Avskrivningar, 7 Ben, H2PAK, SCT
- Microchip 1 Dubbel N Kanal Dubbel N-kanal, MOSFET-arrayer, 2.8 A 240 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TD9944
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT AEC-Q101