Infineon Typ N Kanal Dubbel N-kanals normalnivå förbättringsläge, MOSFET, 16 A 100 V Dubbel N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6,
- RS-artikelnummer:
- 243-9342
- Tillv. art.nr:
- IPG16N10S461ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
99,46 kr
(exkl. moms)
124,325 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 13 955 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,892 kr | 99,46 kr |
| 50 - 120 | 17,696 kr | 88,48 kr |
| 125 - 245 | 16,666 kr | 83,33 kr |
| 250 - 495 | 15,478 kr | 77,39 kr |
| 500 + | 14,336 kr | 71,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-9342
- Tillv. art.nr:
- IPG16N10S461ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | IPG16N10S4-61 | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Dubbel N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 29W | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel N-kanals normalnivå förbättringsläge | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie IPG16N10S4-61 | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Dubbel N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 29W | ||
Transistorkonfiguration Dubbel N-kanals normalnivå förbättringsläge | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon har MOSFET som är Dual N-kanal normal nivå-logisk nivå, AEC Q101-kvalificerad och 100 % avalanche-testad.
N-kanal
100 % avalanche-testad
AEC Q101-kvalificerade
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
Grön produkt (RoHS-kompatibel)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal Dubbel N-kanals normalnivå förbättringsläge, MOSFET, 16 A 100 V Dubbel N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6,
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanal, MOSFET och diod, 40 A 30 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOSTM
- Infineon 2 Typ N Kanal Dual N Channel Normal nivå, MOSFET, 20 A 60 V Dubbel N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IPG20N06S4-15A
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 114 A 150 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 30 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0