STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, MOSFET 90 V Förbättring, 5 Ben, LBB, RF3L
- RS-artikelnummer:
- 230-0089
- Tillv. art.nr:
- RF3L05250CB4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 100 enheter)*
198 266,90 kr
(exkl. moms)
247 833,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 100 + | 1 982,669 kr | 198 266,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 230-0089
- Tillv. art.nr:
- RF3L05250CB4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Arbetsfrekvens | 650MHz | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 90V | |
| Kapseltyp | LBB | |
| Serie | RF3L | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Höjd | 4.85mm | |
| Längd | 28.95mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 16.51mm | |
| Typisk effektförstärkning | 18dB | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Arbetsfrekvens 650MHz | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 90V | ||
Kapseltyp LBB | ||
Serie RF3L | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Höjd 4.85mm | ||
Längd 28.95mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 16.51mm | ||
Typisk effektförstärkning 18dB | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics RF3L05250CB4 är en 250 W 28/32 V LDMOS FET utformad för bredbandskommunikation och ISM-tillämpningar med frekvenser från HF till 1 GHz. Den kan användas i klass AB/B och C för alla typiska moduleringsformat.
Hög effektivitet och linjär förstärkning
Integrerat ESD-skydd
Stort positivt och negativt grind-/källspänningsområde för förbättrad klass C-drift
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, MOSFET 90 V Förbättring, 5 Ben, LBB, RF3L
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 90 V, 5 Ben, LBB
- STMicroelectronics Dubbel N Kanal, MOSFET 95 V, 5 Ben, LBB
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 90 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT019 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL160
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL