STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 95 A 650 V Avskrivningar, 7 Ben, H2PAK, SCT

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
202-5480
Tillv. art.nr:
SCTH100N65G2-7AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

95A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

H2PAK

Serie

SCT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

0.02Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22V

Framåtriktad spänning Vf

2.8V

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal effektförlust Pd

360W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

162nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

15.25mm

Bredd

4.8mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics silikonkarbid-effekt-MOSFET av fordonskvalitet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 2:a generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har anmärkningsvärt lågt på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda.

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Låg kapacitans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.