STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 650 V Avskrivningar, 7 Ben, H2PAK, SCT
- RS-artikelnummer:
- 202-5480
- Tillv. art.nr:
- SCTH100N65G2-7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
279 226,00 kr
(exkl. moms)
349 032,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 279,226 kr | 279 226,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5480
- Tillv. art.nr:
- SCTH100N65G2-7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 95A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | H2PAK | |
| Serie | SCT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.02Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 162nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 360W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 15.25mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 95A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp H2PAK | ||
Serie SCT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.02Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 162nC | ||
Maximal effektförlust Pd 360W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 15.25mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 95 A 650 V Avskrivningar H2PAK, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal 100 A 1200 V Avskrivningar H2PAK, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal 45 A 650 V Förbättring H2PAK
- STMicroelectronics N-kanal Kanal 55 A 650 V Förbättring H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics Typ N Kanal 55 A 650 V Förbättring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 60 A 650 V Förbättring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 45 A 650 V Avskrivningar Hip-247, SCT
- STMicroelectronics 55 A 1200 V SCT AEC-Q101
