STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, 7 Ben, Tejp och rulle
- RS-artikelnummer:
- 261-5040
- Tillv. art.nr:
- SCT040HU65G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
127,90 kr
(exkl. moms)
159,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 177 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 127,90 kr |
| 10 - 99 | 124,77 kr |
| 100 - 249 | 123,20 kr |
| 250 - 499 | 121,74 kr |
| 500 + | 120,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 261-5040
- Tillv. art.nr:
- SCT040HU65G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | Tejp och rulle | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 3.5mm | |
| Längd | 18.58mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp Tejp och rulle | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 3.5mm | ||
Längd 18.58mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 10 A 800 V Förbättring Tejp och rulle
- STMicroelectronics Typ N Kanal 10 A 800 V Förbättring, Tejp och rulle
- STMicroelectronics Typ N Kanal 30 A 650 V Förbättring Tejp och rulle
- STMicroelectronics Typ N Kanal 7 A 1200 V Förbättring Tejp och rulle
- Infineon N-kanal Kanal 193 A 40 V Förbättring Tejp och rulle, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-kanal Kanal 154 A 40 V Förbättring Tejp och rulle, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-kanal Kanal 199 A 40 V Förbättring Tejp och rulle, OptiMOS AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 12 A 800 V Förbättring TO-252