STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, 7 Ben, Tejp och rulle
- RS-artikelnummer:
- 261-5039
- Tillv. art.nr:
- SCT040HU65G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (600 enheter, på en rulle med 600)*
75 664,80 kr
(exkl. moms)
94 581,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 600 + | 126,108 kr | 75 664,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 261-5039
- Tillv. art.nr:
- SCT040HU65G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | Tejp och rulle | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 18.58mm | |
| Bredd | 14mm | |
| Höjd | 3.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp Tejp och rulle | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 18.58mm | ||
Bredd 14mm | ||
Höjd 3.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST: s avancerade och innovativa 3: e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapacitanser och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda i frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
AEC-Q101-godkänd
Mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet
Växlingsprestanda med hög hastighet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Källdetekteringsstift för ökad effektivitet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, 7 Ben, Tejp och rulle
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, Tejp och rulle
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 7 Ben, Tejp och rulle
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Tejp och rulle
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4.3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 199 A 40 V Förbättring, 8 Ben, Tejp och rulle, OptiMOS AEC-Q101