STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, 7 Ben, Tejp och rulle

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 600 enheter)*

74 599,80 kr

(exkl. moms)

93 249,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
600 +124,333 kr74 599,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
261-5039
Tillv. art.nr:
SCT040HU65G3AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

Tejp och rulle

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

39.5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

3.5mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

18.58mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

Relaterade länkar