Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 199 A 40 V Förbättring, 8 Ben, Tejp och rulle, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 762-929
- Tillv. art.nr:
- IAUZN04S7L012ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 73,90 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
20,38 kr
(exkl. moms)
25,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 900 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 20,38 kr | - |
| 10 - 99 | 12,99 kr | 73,90 kr |
| 100 - 499 | 8,62 kr | 1 176,00 kr |
| 500 - 999 | 7,39 kr | 6 495,00 kr |
| 1000 + | 6,27 kr | 14 110,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-929
- Tillv. art.nr:
- IAUZN04S7L012ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 199A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | Tejp och rulle | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.25mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 950mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 2.29mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 2.29mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 199A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp Tejp och rulle | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.25mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Framåtriktad spänning Vf 950mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 2.29mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 2.29mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon Automotive MOSFET-effekttransistor är en N-kanal, förstärkningsläge MOSFET utformad för fordonstillämpningar. Den fungerar under höga temperaturer och har en robust konstruktion. Utökad kvalificering utöver AEC-Q101.
Förbättrad elektrisk testning
Robust konstruktion
RoHS-kompatibel
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, Tejp och rulle, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 193 A 40 V Förbättring, 8 Ben, Tejp och rulle, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 154 A 40 V Förbättring, 8 Ben, Tejp och rulle, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 117 A 40 V Förbättring, 8 Ben, Tejp och rulle, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 650 V, 4 Ben, Tejp och rulle, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 64 A 650 V, 4 Ben, Tejp och rulle, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N Kanal Halvbrygga, Effekt-MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 510 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS