STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 7 Ben, Tejp och rulle
- RS-artikelnummer:
- 261-5041
- Tillv. art.nr:
- SCT055HU65G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 600 enheter)*
66 925,80 kr
(exkl. moms)
83 657,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 600 enhet(er) levereras från den 16 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 600 + | 111,543 kr | 66 925,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 261-5041
- Tillv. art.nr:
- SCT055HU65G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | Tejp och rulle | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 18.58mm | |
| Höjd | 3.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 14mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp Tejp och rulle | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 18.58mm | ||
Höjd 3.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 14mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MA
Effekt-MOSFET av kiselkarbid av fordonskvalitet 650 V, 58 mOhm typ., 30 A i ett HU3PAK-paket
STMicroelectronics silikonkarbid-effekt-MOSFET-enhet har utvecklats med ST: s avancerade och innovativa 3: e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
AEC-Q101-godkänd
Mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet
Växlingsprestanda med hög hastighet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Källdetekteringsstift för ökad effektivitet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 7 Ben, Tejp och rulle
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, Tejp och rulle
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, 7 Ben, Tejp och rulle
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Tejp och rulle
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 650 V, 4 Ben, Tejp och rulle, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 64 A 650 V, 4 Ben, Tejp och rulle, CoolSiC AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, IPAK
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 138 A 650 V Förbättring, 3 Ben, MDmesh