STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

58 095,00 kr

(exkl. moms)

72 620,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +23,238 kr58 095,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
261-5526
Tillv. art.nr:
STD80N340K6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

340mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17.8nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics effekt-MOSFET på superförbindningsteknik. Har klassens bästa påslagningsresistans per område och grindladdning för tillämpningar som kräver överlägsen effekttäthet och hög effektivitet.

Ultralåg grindladdning

100 % avalanche-testade

Zener-skyddad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.