Infineon N Kanal, MOSFET, 129 A 135 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 168-5948
- Tillv. art.nr:
- IRF135S203
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 800 enheter)*
11 829,60 kr
(exkl. moms)
14 787,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 14,787 kr | 11 829,60 kr |
| 1600 + | 14,417 kr | 11 533,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-5948
- Tillv. art.nr:
- IRF135S203
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 129A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 135V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 180nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 441W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 129A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 135V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 180nC | ||
Maximal effektförlust Pd 441W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineons StarkIRFET familjen är optimerad för låg RDS(på) och kapacitet för hög strömstyrka. Denna portfölj erbjuder förbättrad robusthet för gate, lavin och dynamisk dv/dt och är idealisk för industriella lågfrekvensapplikationer som motorstyrningar, elverktyg, växelriktare och batterihantering där prestanda och robusthet är avgörande.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 129 A 135 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 129 A 135 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 173 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 183 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET