Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Antal (1 rör med 100 enheter)*

1 361,70 kr

(exkl. moms)

1 702,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
100 +13,617 kr1 361,70 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
260-5933
Tillv. art.nr:
IRF100B202
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

97A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-220

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.

Industriellt standardpaket med genomgående hål

Högströmsklassning

Mjukare diodkropp jämfört med tidigare kiselgeneration

Bred portfölj tillgänglig

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.