Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

66,75 kr

(exkl. moms)

83,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 988 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +66,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-5122
Tillv. art.nr:
IPB180N10S402ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons N-kanal optiMOS-effekt-MOSFET ger utmärkt grindladdning. Den har högsta strömkapacitet. Denna N-kanal MOSFET-transistor fungerar i förstärkningsläge.

Förbättringsläge för N-kanal

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

100 % avalanche-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.