Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101

Denna enhet är en N-kanalförstärkningsläge-effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i en TO‐263-kapsel som är lämplig för strömförsörjningsenheter. Komponenten uppfyller fordonskvalificerings- och miljöbegränsningsstandarder för användning i fordonssystem och andra tillämpningar som kräver robust termisk och elektrisk prestanda.

• 60 V drain‐source-klassning möjliggör robust spänningshuvudutrymme för omkoppling
• 180 A kontinuerlig strömkapacitet stöder drift med hög belastning
• 1,7 mΩ påslagningsresistans minskar ledningsförluster vid höga strömmar
• Förbindelsesområde från -55 °C till 175 °C möjliggör uthållighet vid extrema temperaturer
• TO‐263-kapseln underlättar montering och värmeavledning för montering

• Lämplig för fordonsströmfördelning och motordrivenheter
• Idealisk för högströms-DC-omkoppling i batterisystem
• Används med strömomvandlare i industriell styrutrustning
• Kan användas för lastväxling i krävande temperaturmiljöer

Den har AEC-Q101-kvalificering som är lämplig för fordonsströmförsörjningsenheter.

Komponenten levereras i en TO‐263-förpackning för ytmontering.

Den överensstämmer med RoHS-kraven som begränsar farliga ämnen.

Det är en N-kanal-enhet som drivs i förstärkningsläge.