Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 260-5120
- Tillv. art.nr:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
107,63 kr
(exkl. moms)
134,54 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 684 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 53,815 kr | 107,63 kr |
| 20 - 48 | 48,385 kr | 96,77 kr |
| 50 - 98 | 45,36 kr | 90,72 kr |
| 100 - 198 | 42,00 kr | 84,00 kr |
| 200 + | 39,31 kr | 78,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-5120
- Tillv. art.nr:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | iPB | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.70mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie iPB | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.70mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons N-kanal optiMOS-effekt-MOSFET ger utmärkt grindladdning. Den har högsta strömkapacitet. Denna N-kanal MOSFET-transistor fungerar i förstärkningsläge.
Förbättringsläge för N-kanal
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101