Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1821
- Tillv. art.nr:
- IPB180P04P4L02ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
223,10 kr
(exkl. moms)
278,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 810 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 44,62 kr | 223,10 kr |
| 25 - 45 | 40,164 kr | 200,82 kr |
| 50 + | 37,476 kr | 187,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1821
- Tillv. art.nr:
- IPB180P04P4L02ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon iPB-serien MOSFET, 150 W maximal effektförlust, 40 V maximal drain-källspänning – IPB180P04P4L02ATMA2
Denna MOSFET är en P-kanals effekttransistor med förstärkningsläge som är utformad för högströmsomkoppling i ytmonterade enheter. Den fungerar i ett brett omgivningstemperaturområde och uppfyller kraven för fordonsbelastning för användning i krävande elektriska system. Komponenten är förpackad för termisk och monteringseffektivitet och tolererar grinddrivarspänningar som är lämpliga för strömstyrningstopologier.
Funktioner och fördelar:
• Låg påslagningsresistans på 2.4 mΩ minskar ledningsförluster
• Hög kontinuerlig ström på 180 A möjliggör omkoppling vid kraftig belastning
• 40 V drain-source-klassning passar system med måttlig spänning
• Effektförlust på 150 W stöder hållbar effekthantering
• Gate-tolerans 16 V möjliggör robusta kontrollspänningsmarginaler
• Temperaturklassning −55 °C till +175 °C tål extrema miljöer
• Hög kontinuerlig ström på 180 A möjliggör omkoppling vid kraftig belastning
• 40 V drain-source-klassning passar system med måttlig spänning
• Effektförlust på 150 W stöder hållbar effekthantering
• Gate-tolerans 16 V möjliggör robusta kontrollspänningsmarginaler
• Temperaturklassning −55 °C till +175 °C tål extrema miljöer
Användningsområden
• Lämplig för fordonsströmfördelningsenheter
• Idealisk för högströms-DC-DC-omvandlarsteg
• Används för omkoppling av motordrivare på höga sidan
• Kan användas för batterihanteringsskyddskretsar
• Passar för ytmonterade strömmoduler i fordon
• Idealisk för högströms-DC-DC-omvandlarsteg
• Används för omkoppling av motordrivare på höga sidan
• Kan användas för batterihanteringsskyddskretsar
• Passar för ytmonterade strömmoduler i fordon
Vilken monteringsstil kräver den för kretskortsmontering?
Den levereras i en TO-263-kapsel avsedd för ytmontering.
Hur fungerar den under kontinuerlig hög ström?
Den stöder kontinuerliga dräneringsströmmar upp till 180 A med en maximal effektförlust på 150 W.
Vilket grindspänningsområde bör observeras under drift?
Gate-source-spänningen bör inte överstiga 16 V för att förhindra enhetsbelastning.
Är den lämplig för användning i extrema temperaturer?
Enheten är klassad för drift från −55 °C upp till +175 °C för tillämpningar med höga temperaturer.
Vilken typ av kanal och ledningsläge använder den?
Den använder en P-typ-kanal som drivs i förstärkningsläge.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101