Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

20 637,00 kr

(exkl. moms)

25 796,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +20,637 kr20 637,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
260-5119
Tillv. art.nr:
IPB180N06S4H1ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

iPB

Kapseltyp

TO-263

Maximal drain-källresistans Rds

1.70mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons N-kanal optiMOS-effekt-MOSFET ger utmärkt grindladdning. Den har högsta strömkapacitet. Denna N-kanal MOSFET-transistor fungerar i förstärkningsläge.

Förbättringsläge för N-kanal

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

100 % avalanche-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.