Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1819
- Tillv. art.nr:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
197,57 kr
(exkl. moms)
246,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 605 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 39,514 kr | 197,57 kr |
| 25 - 45 | 35,594 kr | 177,97 kr |
| 50 - 120 | 33,196 kr | 165,98 kr |
| 125 - 245 | 30,80 kr | 154,00 kr |
| 250 + | 28,404 kr | 142,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1819
- Tillv. art.nr:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
IPB120P04P4L-03, -40 V, P-kanal, 3,1 mΩ max, fordons-MOSFET, D2PAK, OptiMOSTM-P2
Infineons MOSFET med logisk nivå på p-kanal har högsta strömkapacitet och är 100 procent avalanche-testad. Den har de lägsta omkopplings- och ledningseffektsförlusterna för högsta termiska effektivitet.
Sammanfattning av funktioner
•P-kanal – Logiknivå – Förbättringsläge
•AEC-godkänd
•MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
•175 °C drifttemperatur
•Grön förpackning (RoHS-kompatibel)
•100 % avalanche-testad
Fördelar
•Ingen laddningspump krävs för High-Side-drivning.
•Enkel gränssnittsdrivkrets
•Världens lägsta RDSon på 40 V
•Högsta strömkapacitet
•Lägsta omkopplings- och ledningseffektsförluster för högsta termiska effektivitet
•Robusta förpackningar med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet
•Standardpaket TO-252, TO-263, TO-220, TO-262
Potentiella tillämpningar
•High-Side MOSFET för motorbryggor (halvbryggor, H-bryggor, 3-fasmotorer)
•Bryggkonfigurationen kan realiseras med 40 V P-kanal som High-Side-enhet utan behov av laddningspump
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101