Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1819
- Tillv. art.nr:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
197,57 kr
(exkl. moms)
246,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 605 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 39,514 kr | 197,57 kr |
| 25 - 45 | 35,594 kr | 177,97 kr |
| 50 - 120 | 33,196 kr | 165,98 kr |
| 125 - 245 | 30,80 kr | 154,00 kr |
| 250 + | 28,404 kr | 142,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1819
- Tillv. art.nr:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon iPB-serien MOSFET, 40 V maximal drain source-spänning, 120 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPB120P04P4L03ATMA2
Denna p-kanal MOSFET är en ytmonterad effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling och termisk motståndskraft i fordons- och industrimiljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för användning där robusta grindtoleranser och låga ledningsförluster krävs.
Funktioner och fördelar:
• 40 V drain-source-klassning möjliggör medelspänningsswitchning
• Kontinuerlig dräneringsström på 120 A stöder hantering av tung belastning
• Låg Rds(on) på 3.1 mΩ minskar ledningsförluster under belastning
• Effektförlust på 136 W möjliggör hållbar strömhantering
• Vgs-tolerans upp till 16 V möjliggör högre grinddrivarmarginaler
• Temperaturområde -55 °C till 175 °C upprätthåller drift i extrema förhållanden
• Kontinuerlig dräneringsström på 120 A stöder hantering av tung belastning
• Låg Rds(on) på 3.1 mΩ minskar ledningsförluster under belastning
• Effektförlust på 136 W möjliggör hållbar strömhantering
• Vgs-tolerans upp till 16 V möjliggör högre grinddrivarmarginaler
• Temperaturområde -55 °C till 175 °C upprätthåller drift i extrema förhållanden
Användningsområden
• Lämplig för skyddskretsar för högströmsbatterier
• Idealisk för fordonsströmfördelningsmoduler
• Används med motorstyrenhet på låg- eller högsidan
• Kan användas för synkron omkoppling av DC/DC-omvandlare
• Lämplig för strömhanteringsfunktioner i elfordon
• Idealisk för fordonsströmfördelningsmoduler
• Används med motorstyrenhet på låg- eller högsidan
• Kan användas för synkron omkoppling av DC/DC-omvandlare
• Lämplig för strömhanteringsfunktioner i elfordon
Vilket paket använder den för kretskortsmontering?
Den levereras i en TO-263-förpackning för ytmontering som är utformad för montering på lödda kort.
Hur uppför sig den termiskt vid hög belastning?
Enheten kan avleda upp till 136 W vid korrekt kylning, vilket möjliggör långvarig drift vid hög effekt med adekvat värmehantering.
Vilka grindgränser bör iakttas under designen?
Grindkällans spänning får inte överstiga 16 V för att undvika grindöverspänning.
Är den lämplig för fordonskvalificeringskrav?
Den uppfyller AEC-Q101 fordonsstandarden för halvledarkvalificering.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101