Infineon N Kanal, MOSFET, 382 A 24 V, 3 Ben, TO-262, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 50 enheter)*

2 467,60 kr

(exkl. moms)

3 084,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +49,352 kr2 467,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
260-5054
Tillv. art.nr:
AUIRF1324WL
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

382A

Maximal källspänning för dränering Vds

24V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-262

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.3mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

300W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

84nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

4.83mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

10.67mm

Längd

9.65mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons Widelead HEXFET Power MOSFET är speciellt utformad för fordonstillämpningar. Den har 175 °C kopplingsdriftstemperatur, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning.

Avancerad processteknik

Ultralågt motstånd

Snabbväxlande

Upprepad avalanche tillåten upp till Tjmax

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.