Infineon N Kanal, MOSFET, 72 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 1000 enheter)*

28 556,00 kr

(exkl. moms)

35 695,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rör*
1000 +28,556 kr28 556,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-6771
Tillv. art.nr:
IRFSL4127PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

72A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-262

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.075Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons effekt-MOSFET ger fördelar som förbättrad gate, avalanche och dynamisk dV/dt-robusthet och fullt karakteriserad kapacitans och avalanche SOA.

Förbättrad kapacitet för dioden i kroppen för dV/dt och dI/dt

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.