Sök efter MPN

Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET

Name: Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET
Brand: Infineon
SKU: 262-6773
Availability: InStock

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 1000 enheter)*

13 543,00 kr

(exkl. moms)

16 929,00 kr

(inkl. moms)

I lager

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
1000 - 1000	13,543 kr	13 543,00 kr
2000 +	12,866 kr	12 866,00 kr

*vägledande pris

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	195A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TO-262
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	0.075Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 195A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TO-262
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 0.075Ω
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Infineons Power MOSFET ger fördelar som förbättrad robusthet för gate, lavin och dynamisk dV/dt samt fullt karakteriserad kapacitans och lavin SOA.

Halogenfria

Förbättrad kapacitet för dioden i kroppen för dV/dt och dI/dt

Relaterade länkar

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.