Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V, PG-TO263-3
- RS-artikelnummer:
- 258-7759
- Tillv. art.nr:
- IPB180N04S400ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 1 enhet)*
50,40 kr
(exkl. moms)
63,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 495 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Förpackning(ar) | Per förpackning |
|---|---|
| 1 - 24 | 50,40 kr |
| 25 - 49 | 41,89 kr |
| 50 - 124 | 37,07 kr |
| 125 - 499 | 35,06 kr |
| 500 + | 30,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-7759
- Tillv. art.nr:
- IPB180N04S400ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-TO263-3 | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC, MSL1, RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-TO263-3 | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC, MSL1, RoHS | ||
Infineon OptiMOS har lägsta omkopplings- och ledningseffektsförluster för högsta termiska effektivitet. Den har också optimerad total grindladdning som möjliggör mindre drivutgångsstegen.
AEC-godkänd
Grön produkt
Ultralåg Rds på
100-procentigt lavintestat
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V, PG-TO263-3
- Infineon N-kanal Kanal, MOSFET, 64 A 750 V, 7 Ben, PG-TO263-7, AIMBG75R AEC-Q101
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 122 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 28 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 125 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 119 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, AIK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34.9 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65