Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, AIK
- RS-artikelnummer:
- 349-189
- Tillv. art.nr:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
99,90 kr
(exkl. moms)
124,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 99,90 kr |
| 10 - 99 | 89,82 kr |
| 100 - 499 | 82,88 kr |
| 500 - 999 | 76,72 kr |
| 1000 + | 68,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-189
- Tillv. art.nr:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | AIK | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 108nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 326W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie AIK | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 108nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 326W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon CoolSiC Hybrid Discrete med TRENCHSTOP 5 Fast Switching IGBT och CoolSiC Schottky-diod G5 är utformad för fordonsindustrin. Den har den bästa effektiviteten i klassen i hårda omkopplings- och resonanta topologier.
650 V genombrottsspänning
CoolSiCTM Schottky-diod G5
Låg grindladdning QG
Kelvin emitteranslutning för optimerad omkopplingsprestanda
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34.9 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 115 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 158 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC