Infineon N Kanal, MOSFET, 34.9 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- RS-artikelnummer:
- 351-959
- Tillv. art.nr:
- IMBG65R060M2H
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
145,60 kr
(exkl. moms)
182,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 998 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 72,80 kr | 145,60 kr |
| 20 - 198 | 65,465 kr | 130,93 kr |
| 200 + | 60,48 kr | 120,96 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-959
- Tillv. art.nr:
- IMBG65R060M2H
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 34.9A | |
| Uteffekt | 148W | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | IMBG65 | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.2mm | |
| Bredd | 9.45mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Höjd | 4.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34.9A | ||
Uteffekt 148W | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie IMBG65 | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.2mm | ||
Bredd 9.45mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Höjd 4.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolSiC MOSFET G2 i ett D2PAK-7-paket bygger på styrkorna i Generation 1-tekniken och möjliggör accelererad systemdesign av mer kostnadsoptimerade, effektiva, kompakta och tillförlitliga lösningar. Generation 2 levereras med betydande förbättringar av nyckeltal för både hårdkopplingsdrift och mjuka kopplingstopologier, lämpliga för alla vanliga kombinationer av AC-DC, DC-DC och DC-AC-steg.
Möjliggör BOM-besparingar
Högsta tillförlitlighet
Möjliggör högsta effektivitet och effekttäthet
Lätt att använda
Fullständig kompatibilitet med befintliga leverantörer
Möjliggör konstruktioner utan fläkt eller kylelement
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 158 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65
- Infineon 1 Typ N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, AIK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 115 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC