Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V, PG-TO263-3
- RS-artikelnummer:
- 258-7073
- Tillv. art.nr:
- IPB180N04S400ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
21 839,00 kr
(exkl. moms)
27 299,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 21,839 kr | 21 839,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-7073
- Tillv. art.nr:
- IPB180N04S400ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-TO263-3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC, MSL1, RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-TO263-3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC, MSL1, RoHS | ||
The Infineon OptiMOS has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It also has optimized total gate charge which enables smaller driver output stages.
AEC qualified
Green product
Ultra low Rds on
100 percent avalanche tested
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 180 A 40 V, PG-TO263-3
- Infineon N-kanal Kanal 122 A 30 V Förbättring PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-kanal Kanal 119 A 30 V Förbättring PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-kanal Kanal 28 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal 125 A 30 V Förbättring PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon 1 Typ N Kanal 7 Ben AIK
- Infineon Typ N Kanal 45 A 60 V Förbättring PG-TO263-3, IPB057N06N
- Infineon Typ N Kanal 68 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, IMBG65
