Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V, PG-TO263-3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

19 354,00 kr

(exkl. moms)

24 192,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +19,354 kr19 354,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-7073
Tillv. art.nr:
IPB180N04S400ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

PG-TO263-3

Maximal effektförlust Pd

300W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC, MSL1, RoHS

Infineon OptiMOS har lägsta omkopplings- och ledningseffektsförluster för högsta termiska effektivitet. Den har också optimerad total grindladdning som möjliggör mindre drivutgångsstegen.

AEC-godkänd

Grön produkt

Ultralåg Rds på

100-procentigt lavintestat

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.