Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 125 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, StrongIRFET
- RS-artikelnummer:
- 762-987
- Tillv. art.nr:
- IPB018N03LF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
30,69 kr
(exkl. moms)
38,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 30,69 kr |
| 10 - 99 | 19,94 kr |
| 100 - 499 | 13,66 kr |
| 500 - 799 | 12,10 kr |
| 800 + | 10,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-987
- Tillv. art.nr:
- IPB018N03LF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 125A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PG-TO263-3 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Bredd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 15.88mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 125A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PG-TO263-3 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Bredd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 15.88mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon StrongIRFET 2 effekttransistor är en 30 V N-kanal MOSFET som är lämplig för olika tillämpningar. Den fungerar under extrema förhållanden, med en maximal temperaturklassning på 175 °C och överensstämmer med miljöbestämmelser.
100 % avalanche-testade
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 122 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 119 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 28 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, IPB057N06N
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V, PG-TO263-3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 134 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101