Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3984
- Tillv. art.nr:
- IRFR2405TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
50,62 kr
(exkl. moms)
63,275 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 955 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 10,124 kr | 50,62 kr |
| 50 - 120 | 9,318 kr | 46,59 kr |
| 125 - 245 | 8,736 kr | 43,68 kr |
| 250 - 495 | 8,108 kr | 40,54 kr |
| 500 + | 7,504 kr | 37,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3984
- Tillv. art.nr:
- IRFR2405TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 56A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 56A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon R MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Increased ruggedness
Wide availability from distribution partners
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 56 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 56 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 56 A 100 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 17 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 61 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 56 A 100 V TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 27 A 55 V TO-252, HEXFET