Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3984
- Tillv. art.nr:
- IRFR2405TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
131,60 kr
(exkl. moms)
164,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,32 kr | 131,60 kr |
| 50 - 120 | 24,214 kr | 121,07 kr |
| 125 - 245 | 22,692 kr | 113,46 kr |
| 250 - 495 | 21,078 kr | 105,39 kr |
| 500 + | 19,488 kr | 97,44 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3984
- Tillv. art.nr:
- IRFR2405TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 56A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 56A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons R MOSFET-familj av effekt-MOSFET-er använder beprövade silikonprocesser som erbjuder designers ett brett utbud av enheter för att stödja olika tillämpningar som DC-motorer, växelriktare, SMPS, belysning, lastomkopplare samt batteridrivna tillämpningar. Enheterna finns tillgängliga i en mängd olika ytmonterings- och genomgående hålförpackningar med industristandardfotavtryck för enkel design.
Plan cellstruktur för bred SOA
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Ökad robusthet
Stor tillgänglighet från distributionspartners
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 100 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 100 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET