Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 100 V, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

18 470,00 kr

(exkl. moms)

23 088,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 02 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +9,235 kr18 470,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5544
Tillv. art.nr:
IRFR3710ZTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

56A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

18mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

69nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

140W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

10.41mm

Längd

6.73mm

Bredd

2.39mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons HEXFET power MOSFET utnyttjar de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg on-resistans per kiselarea. Ytterligare egenskaper hos denna konstruktion är en driftstemperatur på 175°C, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv lavinklassning. Dessa egenskaper samverkar till att göra denna konstruktion till en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer.

Avancerad processteknik

Ultralåg on-resistans

175°C driftstemperatur

Snabbväxlande

Upprepade laviner tillåtna upp till Tjmax

Flera paketalternativ

Blyfri

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.