Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

10 806,00 kr

(exkl. moms)

13 508,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 - 20005,403 kr10 806,00 kr
4000 +5,133 kr10 266,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4750
Tillv. art.nr:
IRFR2405TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

56A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

160kΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

110W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

110nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.73mm

Höjd

6.22mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Relaterade länkar