Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 218-3111
- Tillv. art.nr:
- IRFR4105TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
208,95 kr
(exkl. moms)
261,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 + | 8,358 kr | 208,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3111
- Tillv. art.nr:
- IRFR4105TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 27A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.045V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 27A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.045V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.22mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien 55 V N-kanals effekt-MOSFET. Den använder avancerade bearbetningstekniker för att uppnå lägsta möjliga påslagningsresistans per kiselarea. Denna MOSFET är utformad för ytmontering med ångfas-, infraröd- eller våglödningsteknik.
Ultra låg på-resistans
Snabbväxlande
Blyfri
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET