Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 280 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

40,32 kr

(exkl. moms)

50,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 3 998 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1820,16 kr40,32 kr
20 - 4818,145 kr36,29 kr
50 - 9816,91 kr33,82 kr
100 - 19815,905 kr31,81 kr
200 +14,785 kr29,57 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3972
Tillv. art.nr:
IRFH8303TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

280A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PQFN

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Maximal effektförlust Pd

156W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

58nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.9mm

Längd

6mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Softer body-diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

Increased power density

Relaterade länkar