Infineon N Kanal, MOSFET, 280 A 30 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (2 enheter, i en förpackning med 2)*

50,51 kr

(exkl. moms)

63,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 424 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1825,255 kr50,51 kr
20 - 4822,79 kr45,58 kr
50 - 9821,225 kr42,45 kr
100 - 19819,935 kr39,87 kr
200 +18,48 kr36,96 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3972
Tillv. art.nr:
IRFH8303TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

280A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PQFN

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

58nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

156W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

6mm

Bredd

5mm

Höjd

0.9mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.

Mjukare kroppsdiod jämfört med tidigare kiselgeneration

Bred portfölj tillgänglig

Ökad effekttäthet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.