Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

29 556,00 kr

(exkl. moms)

36 944,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +7,389 kr29 556,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5529
Tillv. art.nr:
IRFH7084TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

265A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

PQFN

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

1.25mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

127nC

Maximal effektförlust Pd

156W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.05mm

Längd

6mm

Bredd

5mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.

Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

<

Mjukare kroppsdiod jämfört med tidigare kiselgeneration

Bred portfölj tillgänglig

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.