Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 100 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3970
- Tillv. art.nr:
- IRFH5053TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
37,52 kr
(exkl. moms)
46,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 142 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 18,76 kr | 37,52 kr |
| 20 - 48 | 16,35 kr | 32,70 kr |
| 50 - 98 | 15,12 kr | 30,24 kr |
| 100 - 198 | 14,225 kr | 28,45 kr |
| 200 + | 13,105 kr | 26,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3970
- Tillv. art.nr:
- IRFH5053TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.1W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 3.1W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Ytmonteringspaket enligt industristandard
branschstandardkvalificeringsnivå
Standardstiftutförande möjliggör drop-in-byte
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 100 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 60 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 20 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 30 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 265 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 117 A 40 V, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.2 A 100 V, PQFN, HEXFET