Infineon, MOSFET, 220 A 25 V, WDSON, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3965
- Tillv. art.nr:
- IRF6717MTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
80,42 kr
(exkl. moms)
100,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 730 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 40,21 kr | 80,42 kr |
| 20 - 48 | 33,825 kr | 67,65 kr |
| 50 - 98 | 31,81 kr | 63,62 kr |
| 100 - 198 | 29,345 kr | 58,69 kr |
| 200 + | 27,33 kr | 54,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3965
- Tillv. art.nr:
- IRF6717MTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 220A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | WDSON | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.1mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 220A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp WDSON | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.1mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Högströmsklassning
Dubbelsidig kylkapacitet
Kompakt formfaktor
Hög effektivitet
Relaterade länkar
- Infineon, MOSFET, 220 A 25 V, WDSON, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 30 V, WDSON, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 80 V, WDSON, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 200 V, TO-220, HEXFET
- Infineon, MOSFET, 150 A 30 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon, MOSFET, 9.1 A 200 V, 5 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon, MOSFET, 6.6 A 100 V, 5 Ben, TO-220, HEXFET
