Infineon, MOSFET, 150 A 30 V, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3993
- Tillv. art.nr:
- IRLB4132PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 100 enheter)*
1 004,00 kr
(exkl. moms)
1 255,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 10,04 kr | 1 004,00 kr |
| 200 - 400 | 9,538 kr | 953,80 kr |
| 500 - 900 | 9,137 kr | 913,70 kr |
| 1000 - 1900 | 8,735 kr | 873,50 kr |
| 2000 + | 8,142 kr | 814,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3993
- Tillv. art.nr:
- IRLB4132PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | Lead-Free, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden Lead-Free, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET effekt-MOSFET optimerad för bredaste tillgänglighet från distributionspartners. Dess produktkvalificering enligt JEDEC-standard.
Optimerad för 5 V gate-drivspänning
Genomgående strömförsörjningshål enligt industristandard
Högströmsbärande kapacitetspaket
Relaterade länkar
- Infineon, MOSFET, 150 A 30 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
