Infineon, MOSFET, 220 A 25 V, WDSON, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3964
- Tillv. art.nr:
- IRF6717MTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (4800 enheter, på en rulle med 4800)*
51 609,60 kr
(exkl. moms)
64 512,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4800 + | 10,752 kr | 51 609,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3964
- Tillv. art.nr:
- IRF6717MTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 220A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | WDSON | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.1mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 220A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp WDSON | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.1mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons StrongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Högströmsklassning
Dubbelsidig kylkapacitet
Kompakt formfaktor
Hög effektivitet
Relaterade länkar
- Infineon, MOSFET, 220 A 25 V, WDSON, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 68 A 80 V, WDSON, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 30 V, WDSON, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 200 V, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon, MOSFET, 150 A 30 V, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 130 A 100 V, TO-220, HEXFET
