Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (2 enheter, i en förpackning med 2)*

58,35 kr

(exkl. moms)

72,94 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 74 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1829,175 kr58,35 kr
20 - 4826,21 kr52,42 kr
50 - 9824,53 kr49,06 kr
100 - 19822,79 kr45,58 kr
200 +21,225 kr42,45 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3820
Tillv. art.nr:
IPB80P04P4L06ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

40.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2-effekttransistor är ett P-kanals logiknivåförbättringsläge. Den har en drifttemperatur på 175 °C.

AEC-godkänd

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.